| 型号 | SI7460DP-T1-E3 |
| 厂商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC |
| 代理商 | SI7460DP-T1-E3 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.6 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | SI7460DP-T1-E3CT |